精密貼片電阻在電路的選擇中應用
發布時間： 2022-06-29 
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強烈建議使用用于電路的SMD組件。一些電容器中甚至有薄膜結構，當受到尖銳的高電流脈沖時和類似于暴露于C2的電容器和在其介電層中經歷壓電運動。有時，你甚至可以聽到這種電容器發出的“滴答”聲，這意味著由于壓電效應會造成很大的損耗。
0.005Ω（5 mΩ），1％公差的TT electronics lob-3精密合金電阻器用作標準電阻器（R6）。
大多數元件的公差并不重要因為由于電路采用比例測量技術注意其穩定性和結構形式。這很容易被示波器或電壓表注意到但它應該足夠大和以提供足夠長的電流脈沖和電容器C2的值并不重要。
電容器應采用低內阻/電感的結構技術，如層壓箔膜或陶瓷。如果電容取決于外加電壓，則應避免使用多種類型的電容器，尤其是陶瓷電容器。并聯多個電容器以產生所需值和有必要的話可。
這兩個參數將影響測試電路的測量下限和另一個潛在限制是MOSFET的最大漏電流。
-元件本身及其連接的PCB布線為了降低寄生振蕩水平和電阻器R6和電容器C4應具有非常低的電感。
很容易超過MOSFET Q1的絕對最大額定電壓和有時候電路布局不滿足這一要求的時候。對于驅動器tc4422a的輸出上升/下降時間可以小于25 ns和6nf（柵極電容）的電容性負載；再加上通過電感器的產生的電壓和大電流（約100 a）幾乎會損壞任何MOSFET。
這對于將柵極布線至驅動器（U2，引腳6至Q1底部）尤其重要和驅動器應保持在1英寸以下。
出于同樣的原因電阻器RX和R6的連接應盡可能接近相同的長度和以盡量減少電感和電壓降。
必須使用兩端阻抗匹配良好的50Ω同軸電纜和電路的所有外部連接應使用基本高頻實踐進行設計。
0.005Ω（5 mΩ），1％公差的TT electronics lob-3精密合金電阻器用作標準電阻器（R6）。
大多數元件的公差并不重要因為由于電路采用比例測量技術注意其穩定性和結構形式。這很容易被示波器或電壓表注意到但它應該足夠大和以提供足夠長的電流脈沖和電容器C2的值并不重要。
電容器應采用低內阻/電感的結構技術，如層壓箔膜或陶瓷。如果電容取決于外加電壓，則應避免使用多種類型的電容器，尤其是陶瓷電容器。并聯多個電容器以產生所需值和有必要的話可。
這兩個參數將影響測試電路的測量下限和另一個潛在限制是MOSFET的最大漏電流。
-元件本身及其連接的PCB布線為了降低寄生振蕩水平和電阻器R6和電容器C4應具有非常低的電感。
很容易超過MOSFET Q1的絕對最大額定電壓和有時候電路布局不滿足這一要求的時候。對于驅動器tc4422a的輸出上升/下降時間可以小于25 ns和6nf（柵極電容）的電容性負載；再加上通過電感器的產生的電壓和大電流（約100 a）幾乎會損壞任何MOSFET。
這對于將柵極布線至驅動器（U2，引腳6至Q1底部）尤其重要和驅動器應保持在1英寸以下。
出于同樣的原因電阻器RX和R6的連接應盡可能接近相同的長度和以盡量減少電感和電壓降。
必須使用兩端阻抗匹配良好的50Ω同軸電纜和電路的所有外部連接應使用基本高頻實踐進行設計。
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精度：1%,2%,5%,10%,20%
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尺寸范圍：01005~2220
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精度：1%,2%,5%,10%,20%
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精度：±1%；
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